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8月29日北京第三代半導(dǎo)體測(cè)試及應(yīng)用發(fā)展沙龍

2024-08-28 09:55:56  點(diǎn)擊:

以SiC,GaN為代表的第三代半導(dǎo)體,以其具備高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等特性,正加速向5G移動(dòng)通信,新能源汽車(chē)等領(lǐng)域滲透。

那么,目前第三代半導(dǎo)體的國(guó)內(nèi)外發(fā)展情況如何,面向未來(lái),其技術(shù)發(fā)展面臨哪些挑戰(zhàn),在5G射頻,新能源汽車(chē)等應(yīng)用上的發(fā)展有哪些機(jī)遇?


在此背景下,8月29日下午13:30-17:00,是德科技將聯(lián)合第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略聯(lián)盟,在北京順義科創(chuàng)芯園壹號(hào)舉行“第三代半導(dǎo)體測(cè)試及應(yīng)用發(fā)展沙龍”,共同助推第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。


主辦方:是德科技&第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略聯(lián)盟


地點(diǎn):北京順義 科創(chuàng)芯園壹號(hào)1號(hào)樓報(bào)告廳


時(shí)間:8月29日 13:30—17:00

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